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- 2023-05-17 发布于四川
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本发明涉及一种基于n型氧化镓‑p型金刚石的肖特基二极管及其制备方法。肖特基二极管包括n型氧化镓衬底、n型氧化镓外延层、p型金刚石结区、阳极、绝缘介质和阴极；阴极、n型氧化镓衬底、n型氧化镓外延层依次层叠；p型金刚石结区分布在n型氧化镓外延层的表层中，形成终端结构；阳极位于n型氧化镓外延层上，且其两个端部分别与p型金刚石结区部分交叠；绝缘介质位于n型氧化镓外延层上，且与阳极的两端相接触。该二极管改善了氧化镓基肖特基势垒二极管反向偏压低、反向漏电流大、热效应明显、以及异质肖特基结附近电场集中效应等问
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823923 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210190219.7
(22)申请日 2022.02.28
(71)申请人 西安电子科技大学
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