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具有结终端延伸结构的肖特基二极管及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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具有结终端延伸结构的肖特基二极管及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种具有结终端延伸结构的肖特基二极管及其制备方法，其特征在于，该二极管包括阴极、n+‑Ga2O3衬底层、n‑‑Ga2O3缓冲层、P型区、阳极；其中，阴极、n+‑Ga2O3衬底层、n‑‑Ga2O3缓冲层自下而上依次设置；n‑‑Ga2O3缓冲层左右两端各设有一组凹槽结构，P型区覆盖于凹槽结构内和凹槽结构上方的n‑‑Ga2O3缓冲层表面，以形成结终端延伸结构；阳极覆盖在n‑‑Ga2O3缓冲层中间的上表面，并向两端延伸至覆盖部分P型区的上表面。其中，P型区采用氮化镓材料。本发明采用结终端延伸

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823924 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210192800.2 (22)申请日 2022.

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