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- 2023-05-17 发布于四川
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本公开提供了一种反极性红光发光二极管芯片及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该反极性红光发光二极管芯片包括依次层叠的衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层、欧姆接触层和透明导电层,所述欧姆接触层和透明导电层之间形成欧姆接触,所述欧姆接触层远离所述第二半导体层的表面经过粗化处理,所述透明导电层的厚度不小于所述欧姆接触层的粗化深度。本公开实施例能提升芯片的光提取效果,且降低制作成本。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114824000 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210270336.4 H01L 33/42 (2010.01)
(22)申请日 2022.03.
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