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- 2023-05-17 发布于四川
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本公开实施例涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，半导体结构的制备方法包括：提供第一衬底，在第一衬底形成阵列区，阵列区形成有第一晶体管以及存储电容，且在第一衬底中形成第一电连接结构，第一电连接结构与阵列区电连接，且还在形成阵列区的工艺中，进行氢处理工艺；提供第二衬底，在第二衬底形成外围电路区，外围电路区形成有第二晶体管，且还在第二衬底形成第二电连接结构，第二电连接结构与外围电路区电连接；形成半导体单元，半导体单元由至少一个第一衬底与第二衬底堆叠形成，第一电连接结构与第二电连接结构电连接。本公
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823653 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210273050.1
(22)申请日 2022.03.18
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 230
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