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具有HKMG的PMOS的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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具有HKMG的PMOS的制造方法.pdf

    本发明公开了一种具有HKMG的PMOS的制造方法，PMOS的栅极结构形成步骤包括：步骤一、形成栅介质层；步骤二、生长P型功函数金属层，生长的所述P型功函数金属层为多晶结构；步骤三、进行退火处理使P型功函数金属层的多晶结构的晶粒互相结合以减少多晶结构的晶粒数量并从而增加对金属导电材料层的金属扩散的阻挡作用；步骤四、形成顶部阻挡层；步骤五、形成金属导电材料层。本发明能减少金属导电材料层的金属向下扩散并使器件的阈值电压保持稳定。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823328 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210235457.5 (22)申请日 2022.03.11 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司 地址

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