原创力文档- 6
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- 2023-05-17 发布于四川
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本发明提供一种锗硅沟道栅极的形成方法，提供衬底，衬底上形成有氧化物掩埋层，氧化物掩埋层的表面形成有绝缘硅层，绝缘硅层上形成有锗硅层；氧化锗硅层，将锗硅层的上表面氧化形成为第一氧化层；在第一氧化层上形成第二氧化层；对第二氧化层的氧空位缺陷进行修复。本发明采用低压热氧化法形成超薄界面层，然后采用原子氧化层沉积法形成一定厚度的栅氧，最后采用高温等离子体氧化法对原子氧化层的氧空位缺陷进行修复，从而形成高质量的栅氧层，采用该方法获得的栅氧质量较高，同时可以避免锗硅沟道中锗的氧化，减少界面缺陷，提升界面质量
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823312 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210235494.6
(22)申请日 2022.03.11
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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