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- 2023-05-17 发布于四川
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本发明涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种半导体元件的制备方法。所述半导体元件的制备方法包括在基底层的一侧面生长形成第一外延层；利用激光在基底层内形成第一改质层；将基底层沿第一改质层分离出预设厚度范围的第一衬底；其中，第一外延层位于第一衬底上；在第一外延层表面制备第一器件。本发明通过将激光由基底层的任意一侧入射，激光在基底层内部加工出第一改质层，直接加工出预设厚度范围的第一衬底，第一衬底厚度通常为50μm～150μm。由此可以提高加工效率，并且通过对第一衬底的剥离面进行磨抛，只需要将激光作
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823465 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210323719.3
(22)申请日 2022.03.30
(71)申请人 大族激光科技产业集团股份有限公
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