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- 2023-05-17 发布于四川
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本申请提供了一种三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备。三维存储器的制备方法包括：形成包括多个堆叠层的叠层结构，并在叠层结构中形成多个阶梯台阶；形成覆盖阶梯台阶的介质层，并在介质层中形成与叠层结构的叠层面垂直的顶部选择栅切口；形成贯穿介质层和阶梯台阶的虚拟沟道孔；以及采用绝缘材料填充顶部选择栅切口和虚拟沟道孔以分别形成顶部选择栅结构和虚拟沟道结构，其中，虚拟沟道孔包括第一虚拟沟道孔，第一虚拟沟道孔在叠层面上的投影与顶部选择栅切口在叠层面上的投影具有重叠区域，重叠区域在平行于顶部选择栅切口的第
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823700 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210356369.0 H01L 27/11556 (2017.01)
(22)申请日 2022.
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