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阵列基板及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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阵列基板及其制备方法.pdf

    本申请实施例公开了一种阵列基板、一种阵列基板制备方法，该阵列基板包括衬底、有源层、第一金属层、阻隔层，有源层设置于衬底上方，第一金属层设置于有源层远离衬底的一侧，阻隔层设置于第一金属层远离衬底的一侧，其中，在膜层厚度方向上，阻隔层至少覆盖有源层、第一金属层设置；通过在第一金属层远离衬底的一侧设置一阻隔层，且阻隔层至少覆盖有源层、第一金属层设置；不仅保护了第一金属层不被氧化，同时防止水、氧入侵有源层，还提升了TFT器件的稳定性。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823719 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210355376.9 (22)申请日 2022.04.06 (71)申请人 广州华星光电半导体

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