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- 2023-05-17 发布于四川
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本发明公开了一种三相发光的phasmid液晶基元及其制备方法和应用。本发明的phasmid液晶基元，两端为树枝单元，中间为长棒状的核；长棒状的核由二苯基丁二炔单元和二苯基氰基乙烯单元构成；前者为典型的聚集诱导荧光淬灭单元，后者为典型的聚集诱导发光单元；氰基为强吸电子基团，因而长棒状的核实为D‑A‑π‑A‑D结构。本发明的phasmid分子在普通溶剂中可以溶解；在选择性溶剂中形成柱状胶束，胶束稳定性好；在固态形成六方柱状液晶相。在单分子态，D‑A效应强。本发明的phasmid分子在凝胶态和液晶态都
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114805129 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210244164.3
(22)申请日 2022.03.10
(71)申请人 南京林业大学
地址 210037
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