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一种基于T型沟槽栅的碳化硅MOSFET器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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一种基于T型沟槽栅的碳化硅MOSFET器件及其制造方法.pdf

    本发明公开了一种基于T型沟槽栅的碳化硅MOSFET器件及其制造方法，所述方法包括：将第一导电类型重掺杂区上的中间区域刻蚀出第一沟槽结构；第二导电类型体区深入到第一导电类型外延层内刻蚀出第二沟槽结构，第二沟槽结构的宽度小于第一沟槽结构的宽度；所述第一导电类型重掺杂区深入第二导电类型体区；第一沟槽结构和第二沟槽结构内表面形成二氧化硅；二氧化硅上淀积多晶硅，形成多晶硅栅。通过第一沟槽结构和第二沟槽结构形成了MOSFET的T型沟槽结构，缩小了MOSFET器件的尺寸，有效的消除JFET电阻、提高沟道的迁移

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823341 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210342728.7 (22)申请日 2022.04.02 (71)申请人 致瞻科技（上海）有

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