原创力文档- 45
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- 2023-05-17 发布于四川
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本发明公开了一种功率半导体器件及其应用，其中器件包括：基体，基体具有相对的第一表面和第二表面，基体内设有接触区、源区、屏蔽区以及第一浮空区，源区与接触区的一侧表面与基体的第一表面平齐，源区与接触区的另一侧表面与屏蔽区接触，源区的侧壁与接触区的侧壁接触，源区、屏蔽区以及基体包绕接触区，第一浮空区整体较屏蔽区更靠近于基体的第二表面。上述功率半导体器件在基体内中设计了第一浮空区，可以对栅介质层起到保护作用并进一步配合直接使用漂移区作为积累型沟道，而不需要使用离子注入形成，屏蔽区和源区可以使用同一离子注
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823908 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210259292.5
(22)申请日 2022.03.16
(71)申请人 松山湖材料实验室
地址 52300
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