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一种半导体器件的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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一种半导体器件的制备方法.pdf

    本发明提出了一种半导体器件的制备方法，包括：B100，将完成栅极和介电层制备后的SiC衬底键合至玻璃载板后，将SiC衬底从Si基载盘分离取出；B200，对SiC衬底背面减薄处理后进行金属镀膜；B300，将金属镀膜后的SiC衬底置于玻璃载盘中，并将SiC衬底与玻璃载板解键合；B400，对SiC衬底进行正面器件及聚亚酰胺层的制备；B500，以聚亚酰胺层的间隙为切割道对SiC衬底进行切割；B600，将切割后的SiC衬底从玻璃载盘转移至切割模框。本发明通过预设尺寸的Si基载盘进行前段制备工艺，可以充分利

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823466 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210331714.5 (22)申请日 2022.03.31 (71)申请人 浙江同芯祺科技有限公司 地址 31

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