1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

LED外延片制作方法.pdfVIP

  • 4
  • 0
  • 约1.85万字
  • 约 11页
  • 2023-05-17 发布于四川
  • 举报

LED外延片制作方法.pdf

    本申请公开了一种LED外延片制作方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的n型GaN层、制作载流子过渡层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中制作载流子过渡层依次包括进行溅射氧化钼层、臭氧处理以及制作氮原子层的步骤。本发明通过采用新的制作方法来提升量子阱的晶体质量，从而提高LED的发光效率。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823995 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210313652.5 (22)申请日 2022.03.28 (71)申请人 湘能华磊光电股份有

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >