原创力文档- 5
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- 2023-05-17 发布于四川
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本发明提供一种改善接触孔电阻的方法，提供衬底，衬底上形成有源极区和漏极区，衬底上形成有浮栅以及覆盖浮栅的层间介质层，形成与衬底连通的凹槽；在衬底上形成覆盖凹槽的第一掩膜层；在第一掩膜层上形成光刻胶层，光刻打开凹槽底部的第一掩膜层，用以定义出离子注入的位置；对凹槽底部的第一掩膜层及其下方的衬底进行离子注入，之后去除光刻胶层；刻蚀第一掩膜层，使得凹槽底部之外的第一掩膜层去除；在剩余的第一掩膜层上形成屏障层；形成覆盖浮栅以及填充凹槽的控制栅；对控制栅进行后续热制程工艺。本发明利用掺杂栅极的选择性刻蚀，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823500 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210235444.8
(22)申请日 2022.03.11
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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