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- 2023-05-17 发布于四川
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本发明公开了一种MOS芯片的封装结构以及封装方法，所述封装结构包括：封装基板，具有互连电路；与所述封装基板固定连接的MOS模块，所述MOS模块与所述互连电路连接；所述MOS模块具有固定连接的第一MOS单元和第二MOS单元；所述第一MOS单元朝向所述第二MOS单元的表面具有第一漏极，背离所述第二MOS单元的表面具有第一栅极和第一源极；所述第二MOS单元朝向所述第一MOS单元的表面具有第二漏极，背离所述第一MOS单元的表面具有第二栅极和第二源极；所述第二漏极与所述第一漏极相对固定连接。所述封装结构提
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116013966 A
(43)申请公布日 2023.04.25
(21)申请号 202111233283.0
(22)申请日 2021.10.22
(71)申请人 上海艾为电子技术股份有限公司
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