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- 2023-05-17 发布于四川
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本申请提供了一种半导体器件及其制作方法。该制作方法包括：在衬底上形成绝缘介质层；刻蚀绝缘介质层，形成多个沿第一方向间隔分布的孔行，每个孔行包括沿第二方向间隔分布的间隔的多个孔；在孔中一一对应形成选择控制栅，形成沿第一方向分布的多个选择控制栅行；刻蚀去除两个相邻选择控制栅行之间的至少部分绝缘介质层，形成沟槽，沟槽的底壁为绝缘介质层，沟槽的至少一个侧壁包括选择控制栅的侧壁；在沟槽中至少依次形成栅氧层和栅极。该方法中，由于形成的选择控制栅的位置和形状发生了变化，所以在后续形成沟槽的过程中，只需要刻蚀绝
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823311 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210176887.4 H01L 27/11578 (2017.01)
(22)申请日 2022.
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