一种基于二维过渡金属硫化物半导体的新型激子调控器件及其制备方法和调控方法.pdfVIP

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2023-05-18 发布于北京
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一种基于二维过渡金属硫化物半导体的新型激子调控器件及其制备方法和调控方法.pdf

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本发明提供了一种基于二维过渡金属硫族化物半导体的新型激子调控器件，包括SiO2衬底，所述SiO2衬底上设有封装层，所述封装层上设有金属硫族化物层，所述金属硫族化物层上设有石墨烯层，在所述SiO2衬底上还制备有金属电极，所述石墨烯层连接金属电极和金属硫族化物层。本发明还提供了一种基于二维过渡金属硫族化物半导体的新型激子调控器件的制备方法及控制器件的调控方法。解决了现有技术中存在的室温下对半导体材料内的电子空穴对，即激子输运调控距离较短、荧光强度较弱的问题。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114864736 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202210174987.3 (22)申请日 2022.02.24 (71)申请人电子科技大学