1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体器件的制造方法及半导体器件.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约9.98千字
  • 约 13页
  • 2023-05-18 发布于四川
  • 举报

半导体器件的制造方法及半导体器件.pdf

    本发明公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成深阱、定义有源区及沉积多晶硅；提供第一光刻版，通过第一光刻版对多晶硅进行刻蚀，形成第一注入窗，注入第一导电类型离子，以形成第一导电类型阱，并在第一导电类型阱中注入高浓度第一导电类型离子；提供第二光刻版，通过第二光刻版对多晶硅进行刻蚀，形成第二注入窗，注入第二导电类型离子，以形成第二导电类型阱，并在第二导电类型阱中注入高浓度第一导电类型离子；提供第三光刻版，进行刻蚀以形成接触孔，并透过接触孔在第二导电类型阱中

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111430243 A (43)申请公布日 2020.07.17 (21)申请号 20201

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >