原创力文档- 1
- 0
- 约1.28万字
- 约 11页
- 2023-05-18 发布于四川
- 举报
本发明提供一种半导体设备恢复方法，包括：清洁步骤，向反应腔室内通入第一工艺气体，将所述第一工艺气体激发成等离子体，以清除所述反应腔室的内壁及介质窗上的残留副产物；恢复步骤，向所述反应腔室内通入第二工艺气体，将所述第二工艺气体激发成等离子体；所述第二工艺气体用于对所述反应腔室内的涂有光胶掩膜的基片进行刻蚀，以在所述反应腔室的内壁及所述介质窗上形成附着层。应用本发明，可有效减少副产物颗粒的掉落，预防后续晶片刻蚀过程中，由于副产物掉落导致的晶片表面产生颗粒污染等问题，从而提高晶片的表面质量，同时可保持
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111261555 A
(43)申请公布日
2020.06.09
(21)申请号 20201
文档评论（0）