基于SiC衬底的准垂直GaN PIN与SBD集成式器件.pdfVIP

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2023-05-18 发布于北京
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基于SiC衬底的准垂直GaN PIN与SBD集成式器件.pdf

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本发明公开了一种基于SiC衬底的准垂直GaNPIN与SBD集成式器件，主要解决现有技术分立式PIN二极管用于多级限幅电路时功率容量受限，响应速度慢，集成度低的缺点。本发明碳化硅衬底(1)的上方淀积n+层(2)，n+层(2)的上方并列淀积n‑层(31)、公共阴极(5)、n‑层(32)，n‑层(31)的上方依次淀积p+层(4)、PIN结阳极(6)，n‑层(32)的上方淀积肖特基结阳极(7)。本发明将GaNPIN与SBD通过共阴极的方式集成在同一碳化硅衬底上，同时PIN管与SBD管均设置为准垂直结

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114843266 A (43)申请公布日 2022.08.02 (21)申请号 202210577589.6 (22)申请日 2022.05.25 (71)申请人西安电子科技大学地址 71007