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公开了一种LED芯片的制造方法，包括：在第一晶圆表面形成第一键合层，所述第一晶圆包括第一衬底以及位于所述第一衬底表面的外延层；在第二衬底的表面形成第二键合层；通过第一键合层和第二键合层将第一晶圆和所述第二衬底键合在一起形成第二晶圆；对第二晶圆的边缘进行化学腐蚀处理以及机械磨削处理；将所述第一衬底剥离。本申请先对键合形成的第二晶圆的边缘进行化学腐蚀处理，然后再进行机械磨削处理，改善晶圆边缘粘连现象，保证后续的剥离过程中第一衬底和外延层容易分离，提高LED芯片的良率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114843376 A
(43)申请公布日 2022.08.02
(21)申请号 202210341563.1
(22)申请日 2022.03.29
(71)申请人 厦门士兰明镓化合物
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