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本发明提供一种超薄氮氧化硅界面材料、遂穿氧化钝化结构及其制备方法和应用，所述超薄氮氧化硅界面材料为SiON薄膜，厚度为1nm‑4nm，所述SiON薄膜中N原子百分含量为1％‑40％。本发明的超薄氮氧化硅界面材料具有高含氮量的特点，相比于氧化硅而言，硼在SiON薄膜中的扩散速率低，从而有效减少了硼对SiON薄膜的破坏作用，提高了SiON薄膜的完整性，保持了化学钝化效果，高氮浓度的SiON薄膜可以显著降低硼在硅表面的浓度，从而降低硼缺陷；另外SiON薄膜的能带结构接近氮化硅，其价带带阶比较小，有利于
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114843350 A
(43)申请公布日 2022.08.02
(21)申请号 202210368180.3
(22)申请日 2022.03.23
(71)申请人 中国科学院宁波材料技术与工程研
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