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一种基于{0001}晶面纳米片组装的富硫空位ZnIn2S4纳米花敏感材料的三乙胺气体传感器及其制备方法,属于气体传感器技术领域。由从下至上的Al2O3衬底、Pd金属叉指电极和涂覆在Pd金属叉指电极上的基于{0001}晶面纳米片组装的富硫空位ZnIn2S4纳米敏感材料层组成。本发明通过改变合成条件来合成了ZnIn2S4纳米花敏感材料,通过S缺陷工程控制生长出的ZnIn2S4纳米花是由暴露高能{0001}面的纳米片自组装而成的,表面具有大量的可作为传感反应活性位点的S空位,因此对三乙胺气体具有良好的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114858869 A
(43)申请公布日 2022.08.05
(21)申请号 202210469510.8
(22)申请日 2022.04.28
(71)申请人 吉林大学
地址 13
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