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晶圆的减薄方法.pdfVIP

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  • 2023-05-18 发布于四川
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晶圆的减薄方法.pdf

    本发明涉及一种晶圆的减薄方法，晶圆具有相对设置的正面和背面，减薄方法包括：将耐酸性膜贴设于晶圆的正面；其中，耐酸性膜完全覆盖晶圆的正面；对晶圆的背面进行研磨减薄，直至晶圆的厚度达到目标厚度；利用刻蚀液对晶圆的背面进行平坦化处理。可避免在对背面进行平坦化处理的过程中刻蚀液渗透至晶圆的正面而腐蚀晶圆的正面，也能有效避免影响后续在晶圆的正面进行的蒸发、制作电极等加工工艺，也能避免因晶圆的正面被刻蚀液腐蚀而导致出现半导体器件失效的情况。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114843179 A (43)申请公布日 2022.08.02 (21)申请号 202210651965.1 (22)申请日 2022.06.10 (71)申请人 上海积塔半导体有限公司 地址 20

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