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- 2023-05-18 发布于四川
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本发明是一种单晶硅熔炉晶体生长直径预测方法，其基于PSO优化的KNN算法。本发明的优点：针对单晶硅生长过程中直径控制问题，利用了大量不同熔融炉的历史生长数据，并将不同生长阶段划分为不同数据集。为了消除不同数据类型数值差异过大对权重的影响，采用正态归一化方法进行数据增强。输入KNN回归模型优化加权权重。训练结束后，应用阶段可以将晶体生长数据输入回归模型，给出历史相似参数下的生长直径，并预测下一时刻晶体生长直径。利用PSO优化的带权重KNN回归计算模型，实现了晶体生长直径预测功能；对于优化晶体生长直
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114836823 A
(43)申请公布日 2022.08.02
(21)申请号 202210644790.1
(22)申请日 2022.06.08
(71)申请人 连城凯克斯科技有限公司
地址 21
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