03光刻机结构及工作原理1.pptxVIP

电子工业专用设备主讲教师：刘世元　教授　吴懿平　教授办公电话动电话子邮件：shyliu@mail.hust.edu.cn机械学院先进制造大楼B310武汉光电国家实验室B102讲授内容第一讲：微电子制造工艺流程（回顾）第二讲：微电子制造装备概述　　光刻工艺及基本原理第三讲：光刻机结构及工作原理(1)第四讲：光刻机结构及工作原理(2)上讲内容：完整的IC制造工艺流程上讲内容：微电子制造装备概述扩散炉离子注入机退火炉掺杂扩散离子注入薄膜氧化化学气相淀积溅射外延刻蚀湿法刻蚀干法刻蚀抛光及清洗化学机械平坦化清洗图形转移光刻测试及封装测试封装加法工艺氧化炉CVD反应炉溅射镀膜机外延设备减法工艺湿法刻蚀机反应离子刻蚀机CMP抛光机硅片清洗机辅助工艺光刻机涂胶显影设备图形转移工艺测试设备划片机键合机后道工艺上讲内容：光刻工艺流程光刻工艺的8个基本步骤曝光后烘焙气相成底膜显影旋转涂胶软烘坚膜烘焙对准和曝光显影检查上讲内容：光刻与光刻机对准和曝光在光刻机(Lithography Tool)内进行。其它工艺在涂胶显影机(Track)上进行。本讲内容：光刻机结构及工作原理光刻机简介光刻机结构及工作原理光刻机简介* 微电子装备 芯片设计能力 芯片制造与制造设备 芯片测试与测试设备 设备是信息产业的源头： 我们开发设备、设备制造芯片、芯片构成器件、器件改变世界！光刻机简介* 摩尔定律 Intel 创始人之一摩尔1964年提出，大约每隔12个月： 1). 芯片能力增加一倍、芯片价格降低一倍； 2). 广大用户的福音、行业人员的噩梦。 芯片集成密度不断提升、光刻分辨率的不断提升！光刻机简介* 2006国际半导体技术路线图(ITRS)原理研究样机研发产品量产持续改进光刻机简介* 光刻机的作用光刻机是微电子装备的龙头 技术难度最高 单台成本最大 决定集成密度光刻机是源头中的龙头！光刻工艺流程光刻机简介Lithography = Transfer the pattern of circuitry from a mask onto a wafer.光刻机简介* 对准曝光工作流程光刻机简介光刻机简介Development of lithography system光刻机简介* 光刻机发展路线图1光刻机简介* 光刻机发展路线图2光刻机简介光刻机三巨头光刻机原理Reticle (Mask)WaferLightLensPhotoresistCell光刻机原理Image (on reticle)diewaferImage (on wafer)硅片(wafer)单晶硅芯棒直径可达300mm,长度可达30feet (9m)，重量可达400kg。用金刚石锯，将芯棒切成薄圆片，即晶片(wafer)。标准晶片尺寸和厚度为：100mm (4”) x 500μm150mm (6”) x 750 μm200mm (8”) x 1mm300mm (12”) x 750μm硅片Wafer type: SEMIJEIDADiameter： 8 inch - 200mm12 inch – 300mmNotch：Y/NFlat edge lengthClearance RoundFlatSEMI = Semiconductor Equipment and Materials International JEIDA = Japan Electronic Industries Development AssociationX光刻机重要评价指标CD Line width（线宽）Overlay（套刻精度）Field size（场尺寸）Throughput（生产率）YWphCD = Critical Dimension光刻机重要设计指标Numerical Apertureof Projection Lens0.75~0.50Litho. Resolution (Lines/Spaces)?100nmImage Size?22mm?8mmMagnification-0.25?Depth of Focus?0.60?m (@130nm resolution)?0.50?m (@100nm resolution)Reticle pattern size88mm?128mmExposure field size on wafer (max)22mm ?32mmScanning speed (max) reticle stage wafer stage1000mm/s250mm/s光刻机总体结构* 光刻机 (汞灯)光刻机总体结构* 光刻机 (激光器)Step and Scan SystemReticle (Mask)193 nm Excimer Laser SourceE