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2023-05-18 发布于北京
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一种多值存储器.pdf

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本发明实施例公开了一种多值存储器，该多值存储器包括：多个存储子列；每个存储子列包括浮置扩散区和多个存储单元；所述存储单元至少包括：电荷存储区和对应的转移晶体管；其中，所述电荷存储区包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有孔洞结构；掺杂外延层，填充于所述孔洞结构，与所述半导体衬底形成侧向PN结电容，实现电荷的存储功能。本发明实施例存储单元的电荷存储区不同于传统结构，该电荷存储区通过刻蚀形成孔洞，并在孔洞内外延制备得到，该电荷存储区的结构提升了满阱容量。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114864585 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202110159578.1 (22)申请日 2021.02.05 (71)申请人格科微电子（上海）有限公司地址