一种自对准隔离结构的形成方法及图像传感器.pdfVIP

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2023-05-18 发布于北京
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一种自对准隔离结构的形成方法及图像传感器.pdf

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本申请提供一种自对准隔离结构的形成方法及图像传感器，所述图像传感器包括：半导体衬底；若干第一隔离结构，位于所述半导体衬底中，其中，相邻的两个第一隔离结构定义如上述所述的自对准隔离结构的位置；如上述所述的自对准隔离结构，位于所述相邻的两个第一隔离结构之间的半导体衬底中，所述自对准隔离结构的深度大于所述第一隔离结构的深度。本申请所述的自对准隔离结构的形成方法及图像传感器，使用所述第一隔离结构作为硬掩膜来刻蚀第二沟槽形成自对准隔离结构，可以提高图像传感器的相邻像素单元之间的深沟槽隔离结构的对准精度。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114864608 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202110073802.5 (22)申请日 2021.01.20 (71)申请人中芯国际集成电路制造（北京）有限