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超高纯电子级多晶硅的提纯方法及其用途.pdfVIP

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  • 2023-05-18 发布于四川
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超高纯电子级多晶硅的提纯方法及其用途.pdf

    本发明公开了超高纯电子级多晶硅的提纯方法及其用途。该方法包括如下步骤：(1)将多晶硅棒加热至1000～1200℃，并保温不小于4h；(2)采用气冷法将保温后的所述多晶硅棒冷却至800～900℃，冷却速率为20～30℃/min；(3)采用气冷法将所述多晶硅棒继续冷却至500～600℃，冷却速率大于30℃/min；(4)采用自然冷却法或水冷法将所述多晶硅棒继续冷却至常温；(5)对冷却至常温的多晶硅棒进行破碎处理，并对破碎后的产物进行清洗，得到提纯后的电子级多晶硅，其中，步骤(1)～(3)均在惰性气氛

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116119671 A (43)申请公布日 2023.05.16 (21)申请号 202310114726.7 (22)申请日 2023.02.14 (71)申请人 江苏鑫华半导体科技股份有限公司 地

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