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本发明公开了属于微纳加工、表界面调控及电化学合成交叉技术领域的一种浸润性多级纳米阵列结构SERS衬底的制备方法，包括以下步骤：首先采用气液界面自组装方法在氧化硅硅片上结合反应离子刻蚀工艺获得规则且非密排PS小球掩膜版；然后依次对氧化硅和硅进行刻蚀，获得大面积硅柱结构；并在所获得的硅柱结构表面包覆金属膜，将该基底浸泡在含巯基分子溶液中进行疏水性调控；最后采用电化学沉积技术在上述疏水性硅衬底上制备得到了松枝状的Au纳米阵列结构，获得纳米阵列结构间隙灵活可调、大面积低成本高重复性、具有大量活性热富集高
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114852950 A
(43)申请公布日 2022.08.05
(21)申请号 202210070727.1
(22)申请日 2022.01.21
(71)申请人 有研工程技术研究院
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