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一种利用离子布植技术制备的RWG型DFB激光器的制作方法.pdfVIP

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  • 2023-05-18 发布于四川
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一种利用离子布植技术制备的RWG型DFB激光器的制作方法.pdf

    本发明提供了一种利用离子布植技术制备的RWG型DFB激光器的制作方法，将三英寸InP半绝缘衬底放入MOCVD腔体中，进行700℃高温的进行烘烤，并在480℃时开始通入PH3，来去除衬底表面的氧化物并改善表面生长质量；接着生长P‑InP、N‑InP和P‑InP结构来进一步抑制电流向衬底的扩散；步骤2：接着依次生长：N‑InP缓冲层、N‑InAlAs电子阻挡层、不掺杂InAlGaAs下波导层、InAlGaAs应变多量子阱和垒结构、不掺杂InAlGaAs上波导层、P‑InAlAs电子阻挡层、P‑InP

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116131097 A (43)申请公布日 2023.05.16 (21)申请号 202211628590.3 (22)申请日 2022.12.17 (71)申请人 福建中科光芯光电科技有限公司 地址

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