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碳化硅MOSFET器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-18 发布于四川
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碳化硅MOSFET器件及其制造方法.pdf

    本发明提供了一种碳化硅MOSFET器件及其制造方法，所述方法包括：提供一具有第一掺杂类型的基底；在所述基底的上表面形成图案化的第一阻挡层；以所述第一阻挡层作为掩膜，采用第一次离子注入工艺倾斜注入形成从所述基底上表面延伸至其内部的基区，所述基区具有第二掺杂类型；在所述基底中形成第一掺杂类型的源区；在所述基底中形成第二掺杂类型的接触区，以及形成栅极结构，其中，通过调整所述第一次离子注入工艺的注入角度，以使得所述基区延伸至所述第一阻挡层的部分下方，所述第一次离子注入工艺的注入角度为所述第一次离子注入工

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112117193 A (43)申请公布日 2020.12.22 (21)申请号 202010996569.3 (22)申请日 2020.09.21 (71)申请人 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司

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