一种相变存储器单元及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-18 发布于北京
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一种相变存储器单元及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种相变存储器单元及其制备方法，相变存储器单元自下而上包括对应设置的第一电极、相变单元和第二电极，所述相变单元被配置为纵向的柱形结构，所述柱形结构由内向外包括依次连接的相变材料层、阻挡层和选择器件层；其中，所述第一电极与所述选择器件层连接，所述第二电极与所述相变材料层连接，所述选择器件层包括纵向设置的二维晶体二极管层。本发明通过凹槽填充方式制备具有环形嵌套结构的柱形相变单元，可提高器件的性能和可靠性，并通过采用二维晶体二级管层形成选择器件层，利用其具有的较低阈值电压，能有效降低器件功

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114864813 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202210326647.8 (22)申请日 2022.03.30 (71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址