磁场增强组件和磁场增强器件.pdfVIP

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2023-05-19 发布于四川
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磁场增强组件和磁场增强器件.pdf

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本申请涉及一种磁场增强组件和磁场增强器件，在射频发射阶段，由于所述第二结构电容上的压差较大，所述第二开关控制电路导通。所述第二外接电容被短路。只有所述第三外接电容连接在所述第一电极层和所述第二电极层之间。通过设置合适的所述第三外接电容可以降低或避免所述磁场增强组件所在的回路在射频发射阶段的失谐程度。通过所述第三外接电容可以使在使用所述磁场增强组件时和使用所述磁场增强组件前，磁共振系统中的受测区域磁场强度相同。因此在射频发射阶段，磁共振系统中的受测区域的磁场强度保持前后一致，能够有效降低磁场增强对

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114910837 A (43)申请公布日 2022.08.16 (21)申请号 202110183927.3 A61B 5/055 (2006.01) (22)申请日 2021.02.