半导体装置及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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半导体装置及其制造方法.pdf

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目的在于得到能够抑制饱和电流的波动的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：基板；第1导电型的漂移层，设置于该基板的上表面侧；第2导电型的基极层，设置于该漂移层的该上表面侧；该第1导电型的上部半导体层，设置于该基极层的上表面侧；第1电极，设置于该基板的该上表面，与该上部半导体层电连接；第2电极，设置于该基板的该背面；沟槽，从该基板的该上表面起将该上部半导体层和该基极层贯穿而延伸至该漂移层为止；以及栅极电极，设置于该沟槽的内部，该沟槽的内侧面具有第1面和设置于比该第1面更靠下方处的第2

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883182 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210112145.5 (22)申请日 2022.01.29 (30)优先权数据