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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三维芯片集成结构及其加工方法。所述三维芯片集成结构包括由上至下依次垂直堆叠的封装层、第一硅芯片、键合层、第二硅芯片和热沉结构；所述第一硅芯片和所述第二硅芯片上均设有若干个硅通孔和若干个水平通道；所述热沉结构由微通道组成；所述硅通孔与所述水平通道、所述微通道相互联通设置；低熔点金属填充于所述硅通孔、所述水平通道和所述微通道内。该三维芯片集成结构散热性良好；该三维芯片集成结构的加工方法简单快捷。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114914213 A
(43)申请公布日 2022.08.16
(21)申请号 202110173007.3 H01L 21/98 (2006.01)
(22)申请日 2021.02.
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