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2023-05-19 发布于北京
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一种辐射检测器和一种制造辐射检测器的方法。该方法包括：在半导体衬底(111)上形成包括碳化硅层的辐射吸收层(110)；在辐射吸收层(110)的第一表面上形成第一电触点(119B)；将辐射吸收层(110)与电子层(120)结合；去除半导体衬底(111)；在辐射吸收层(110)远离电子层(120)的第二表面上形成第二电触点(119A)。辐射检测器(100)包括：辐射吸收层(110)其包括碳化硅层，被配置为从入射辐射吸收层(110)上的辐射在辐射吸收层(110)中产生载流子；具有多个离散区域的电触点(

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114902081 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202080090861.7 (22)申请日 2020.02.26 (85)PCT国际申请进入国家阶段