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一种使用具备处理室(1)的半导体制造装置(100)的半导体制造方法，其中，具有：第一工序，向载置有在表面形成有含有过渡金属元素的含过渡金属膜的晶片(2)的处理室内供给络合化气体，使作为络合化气体的成分的有机化合物吸附于含过渡金属膜；第二工序，对在含过渡金属膜上吸附有有机化合物的晶片进行加热，使有机化合物与过渡金属元素反应而转化成有机金属络合物，并使有机金属络合物脱离，有机化合物是具有路易斯碱性，并能够与过渡金属元素形成双齿以上的配位键的多齿配体分子。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114916240 A
(43)申请公布日 2022.08.16
(21)申请号 202080016128.0 (51)Int.Cl.
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