生长在LaAlO3衬底上的非极性p型GaN薄膜外延结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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生长在LaAlO3衬底上的非极性p型GaN薄膜外延结构及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种生长在LaAlO3衬底上的非极性p型GaN薄膜外延结构及其制备方法，该结构包括在所述LaAlO3衬底上依次生长的非掺杂非极性GaN缓冲层、第一层p型掺杂非极性GaN层、第一层MgN层、第二层p型掺杂非极性GaN层、第二层MgN层、第三层p型掺杂非极性GaN层和p型盖帽层，LaAlO3衬底的晶体取向为(100)。本发明提供的生长在LaAlO3衬底上的非极性p型GaN薄膜外延结构，是具有高质量晶体和空穴浓度的外延结构，能够应用于具有高效率的功率电子器件中。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114875492 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210401587.1 (22)申请日 2022.04.18 (71