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本申请涉及包括层叠的半导体芯片的半导体封装件。一种半导体封装件包括:第一半导体芯片层叠物,其包括在垂直方向上层叠的多个第一半导体芯片;桥式晶片层叠物,其被设置为在水平方向上与第一半导体芯片层叠物间隔开,并且包括在垂直方向上层叠的多个桥式晶片,其中,桥式晶片分别包括贯通电极,并且在垂直方向上对齐的贯通电极通过桥式晶片之间的连接电极彼此连接;重分配层,其设置在第一半导体芯片层叠物和桥式晶片层叠物上方;第二半导体芯片,其设置在重分配层上方,并且被配置为通过在垂直方向上对齐的贯通电极、连接电极和重分配层
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114914221 A
(43)申请公布日 2022.08.16
(21)申请号 202110987361.X
(22)申请日 2021.08.26
(30)优先权数据
10-2021-0017839
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