一种基于有机场效应晶体管结构的光放大器件的制备方法.pdfVIP

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2023-05-20 发布于北京
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一种基于有机场效应晶体管结构的光放大器件的制备方法.pdf

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本发明公开一种基于有机场效应晶体管结构的光放大器件的制备方法，属于有机光电技术领域。（1）在干净的衬底栅极上制备具有DFB光栅结构的聚合物栅介电层；（2）在DFB介电层上制备有源层；（3）在有源层上制备源极和漏极，所得器件包括栅极、聚合物栅介电层、有源层、源极和漏极；该聚合物栅介电层的表面具有分布式反馈（DFB）光栅结构，制备成有机场效应晶体管（OFET）器件后可实现光放大功能。本发明不仅能够通过DFB光栅实现光放大功能，还具有场效应的开关功能。此外通过本方法制备器件的有源层可灵活改变其结构，以

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114914364 A (43)申请公布日 2022.08.16 (21)申请号 202210437324.6 (22)申请日 2022.04.25 (71)申请人南京邮电大学地址 210023