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- 2023-05-23 发布于四川
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本发明公开了一种磁控溅射区域降温装置,该磁控溅射区域降温装置安装在磁控阴极的正对面、基片与磁控阴极之间,包括水冷板,所述水冷板底部通过支撑座固定在真空镀膜箱体底部,水冷板上部通过固定支架固定在镀膜箱体上部,所述水冷板朝向基片一侧的面板上焊接有呈蛇形分布的冷却水管,所述冷却水管的进水端及出水端分别通过密封装置与真空镀膜箱体底部密封连接。本发明的磁控溅射区域降温装置安装在磁控阴极的正对面、基片与磁控阴极之间,通过水冷板及冷却水管的设置,可通过水冷来降低周边温度,保证了基片表面的正常工艺温度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112159966 A
(43)申请公布日 2021.01.01
(21)申请号 202011024218.2
(22)申请日 2020.09.25
(71)申请人 湖南玉丰真空科学技术有限公司
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