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层叠孔结构及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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层叠孔结构及其制作方法.pdf

    本申请公开了一种层叠孔结构及其制作方法，涉及半导体制造领域。该方法包括形成第一金属层间介质层；在第一金属层间介质层中形成第一通孔，第一通孔由竖直结构和碗状结构构成，碗状结构位于竖直结构的上方，碗状结构的开口尺寸大于竖直结构的开口尺寸；填充第一通孔，并在第一通孔中的碗状结构的顶部形成Ti/TiN层；在第一金属层间介质层的表面形成第二金属层间介质层；在第二金属层间介质层中形成第二通孔，第二通孔连接第一通孔，且第二通孔的底部被第一通孔的碗状结构包围；填充第二通孔；解决了较厚的金属层间介质层中的通孔容易

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112164671 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202010943998.4 (22)申请日 2020.09.10 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司

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