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- 2023-05-23 发布于四川
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一种三维结构的NAND铁电存储单元及其制备方法，其中，铁电存储单元包括：由内至外依次设置的氧化物绝缘层、沟道层、沟道缓冲层、铁电层和栅极缓冲层和栅极；沟道层和铁电层之间设置有沟道缓冲层；和/或，铁电层和栅极之间设置有栅极缓冲层。本发明的存储单元，缓冲层具有以下作用：1.可诱导铁电薄膜结晶生成铁电相；2.可减小统一退火结晶时沟道层和铁电层不同结晶特性造成的不利影响，提高沉积薄膜的质量和均一性；3.缓冲层可以提高沟道层的界面性能，并减小漏电流，提高器件抗疲劳性能。故，缓冲层可整体提高三维结构中存储单
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112164699 A
(43)申请公布日 2021.01.01
(21)申请号 202011027562.7
(22)申请日 2020.09.25
(71)申请人 湘潭大学
地址 41
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