原创力文档- 3
- 0
- 约1.05万字
- 约 12页
- 2023-05-23 发布于四川
- 举报
本发明提供一种用于形成背照式图像传感器的晶圆结构及工艺方法，通过在器件晶圆的衬底层与器件层之间设置多个外延层，所述衬底层与多个外延层具有掺杂浓度差异，以使得从背面减薄所述器件晶圆时，可以通过控制刻蚀选择比，实现至少两次的刻蚀自停止，从而降低背面减薄的总厚度偏差，保证背面减薄的精度，满足背照式图像传感器工艺要求，进一步的，由于多个外延层的掺杂浓度差异，可以形成由外延层界面指向光电二极管区域的负浓度梯度，作为有效的背面钉扎层，降低暗电流的影响，从而提高产品良率和成像质量，改善图像传感器性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116137273 A
(43)申请公布日 2023.05.19
(21)申请号 202111363462.6
(22)申请日 2021.11.17
(71)申请人 格科微电子 （上海）有限公司
地址
文档评论（0）