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- 2023-05-23 发布于四川
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一种发光二极管，包括：衬底；两个以上半导体发光序列层，堆叠于所述衬底上，相邻所述半导体发光序列层之间通过沟槽隔离；每一个半导体发光序列层包括依次堆叠在衬底上的第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型发光层；第一导电类型半导体层的部分表面为第一台面，所述第一台面未被发光层覆盖而露出；桥接结构，为透明导电层，一部分位于其中一个半导体发光序列层的第一台面上，并且所述桥接结构自所述一个半导体发光序列层的第一台面延伸跨过所述沟槽至相邻的另一半导体发光序列层上的第二导电类型半导体层上；金属接触电极，位于其
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112164742 A
(43)申请公布日 2021.01.01
(21)申请号 202010993400.2
(22)申请日 2020.09.21
(71)申请人 厦门三安光电有限公司
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