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2023-05-23 发布于四川
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一种衬底剥离方法.pdf

本发明公开了一种衬底剥离方法。本发明的衬底剥离方法包括以下步骤：(1)在第一衬底上沉积AlN材料，形成复合基板，其中，沉积AlN材料过程中的环境气氛掺有氧元素，使得AlN材料中氧原子浓度高于1E16cm‑3；(2)将复合基板置于退火炉中，升温至1400‑2000℃，并在此温度退火0.5‑24h，在退火过程中，在AlN材料与第一衬底的界面上方形成反型边界，退火后降温将复合基板取出；(3)在经过退火的复合基板上外延生长外延层，形成完整的外延片；(4)将激光从第一衬底面照射，激光光斑聚焦在反型边界，使

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112164672 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202010943817.8 (22)申请日 2020.09.09 (71)申请人广东省科学院半导体研究所

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