1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种高纯高致密碳化硅陶瓷及其制造方法.pdfVIP

  • 17
  • 0
  • 约1.17万字
  • 约 10页
  • 2023-05-23 发布于四川
  • 举报

一种高纯高致密碳化硅陶瓷及其制造方法.pdf

    本发明公开了一种高纯高致密碳化硅陶瓷及其制造方法，采用不同粒度的碳化硅陶瓷粉体为主要原料，利用石墨粉和纳米炭黑为结合剂，树脂为粘结剂，采用喷雾造粒工艺均匀混合，通过干压成型、等静压成型或者浇注成型等多种成型方法得到陶瓷素胚，坯体经过干燥、固化后，采用第一次高温纯化热处理，第二次反应渗硅热处理，最后经过表面处理，获得高纯高致密碳化硅陶瓷。采用该工艺制造的碳化硅陶瓷纯度高，各种金属杂质含量低于200ppm，材料的致密度达99％以上，能够广泛应用于纯度和强度要求高的光伏、LED或者半导体应用领域。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112159232 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202011051209.2 (22)申请日 2020.09.29 (71)申请人 南通三责精密陶瓷有限公司

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >