堆叠式高带宽存储器.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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本发明提供了一种堆叠式高带宽存储器,包括至少两个相互键合的芯片,所述两个芯片各自独立地选自于逻辑芯片和存储器芯片中的任意一种,两芯片之间的物理连接采取氧化物介质层作为中间层相互键合;两芯片之间的电学连接通过导电通孔直连。本发明各个芯片之间通过导电通孔(TSV)直接,相对于采用微凸块(uBump)连接的技术方案而言缩短了芯片间连线距离,减小了连线电阻值;采用氧化物介质层填满了芯片之间的空隙,介质层导热速度优于有机物填充料,因此增加了芯片散热速度;氧化物介质层替代微植球实现芯片之间的物理连接,也提高

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112164674 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202011016040.7 (22)申请日 2020.09.24 (71)申请人 芯盟

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